型号 | SI6443DQ-T1-GE3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP |
SI6443DQ-T1-GE3 PDF | |
代理商 | SI6443DQ-T1-GE3 |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 12 毫欧 @ 8.8A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 60nC @ 5V |
功率 - 最大 | 1.05W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-TSSOP |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | SI6443DQ-T1-GE3DKR |